Поисковый запрос: <.>R=47.09$<.> |
Общее количество найденных документов : 1799
Показаны документы с 1 по 10 |
|
1. 
| "Нитриды галлия,индия и алюминия-структуры и приборы",всероссийское совещание. (3; 1999).
3-е всероссийское совещание "Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы": 2-го июня 1999 г. - М. - 1999. - 75 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж не указ. экз.
ГРНТИ: 47.33; 47.09.29
УДК: 621.315.592.9(063); 621.382(063)
Предметные рубрики: Металлы, нитриды
; Гетеропереходы
; Полупроводниковые приборы
Держатели документа:
|
2.
| Пустовойт В.Н.
Материалы для систем микрэлектроники и вычислительной техники: Учеб.пособие
Бровер А.В. - Ростов н/Д. - 2001. - 69 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - В надзаг.:Дон. гос. техн. ун-т. . - ISBN 5-7890-0164-5. - Тираж 200 экз.
ГРНТИ: 47.33.37; 47.09
УДК: 621.3.049.76.002.3; 004.38.002.3
Предметные рубрики: Микроэлектронные приборы
; Вычислительные машины
Держатели документа:
|
3.
| Пасынков В.В.
Материалы электронной техники: Учебник для студентов вузов по спец. электрон. техники
Сорокин В.С. - 3-е изд. - СПб: "Лань". - 2001. - 367 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - ISBN 5-8114-0409-3. - Тираж 3000 экз.
ГРНТИ: 47.09
УДК: 621.38.002.3
Предметные рубрики: Электронные материалы
Держатели документа:
|
4.
| Siberian Russian Student Workshop on Electron Devices and Materials. (2; 2001).
2001 Siberian Russian Student Workshop on Electron Devices and Materials: Proceedings, 2nd Annual, Erlagor, Altai, July 3-7, 2001. - Novosibirsk. - 2001. - 149 p.: il. - На рус.яз. - Российская Федерация. - ISBN 5-7782-0347-0. - Тираж 100 экз.
ГРНТИ: 47.33; 47.09
УДК: 621.384(063); 621.38.002.3(063)
Предметные рубрики: Электронные приборы
; Электронные материалы
Держатели документа:
|
5.
| Васильев А.А.
Автоматизированная установка для исследования вольт-амперных характеристик сверхпроводящих материалов
Козлов С.М., Майорош М. - Л. - 1991. - 11 с.: ил. -(Препринт; N1675). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 220 экз.
ГРНТИ: 47.09.39
УДК: 621.315.5-973(04)
Предметные рубрики: Сверхпроводники
Перевод заглавия: Automatic installation for the investigation of characteristics of current-voltage superconductors: Preprint
Аннотация: Описывается автоматизированная установка для исследования вольт-амперных характеристик сверхпроводящих образцов. Установка построена на микропроцессорной системе Meset-80 - аналог модульной микропроцессорной системы фирмы "Simens". Микропроцессорная система в автономном режиме управляет экспериментом, обеспечивая изменение тока, подаваемого в образец, измерение тока и падение напряжения на образце, и выполняет ряд других функций
Держатели документа:
|
6.
| Алиев М.И.
Особенности электронных и фононных процессов в эвтектиках на основе полупроводников A В
Араслы Д.Г., Джафаров З.А. - Баку. - 1991. - 27 с.: ил. -(Препринт; N380). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 50 экз.
ГРНТИ: 47.09.29
УДК: 621.315.592(04)
Предметные рубрики: Полупроводники
Перевод заглавия: The features of electron and phonon processes in eutectics on the basis of A**(3)B**(5) semiconductors: Preprint
Аннотация: Приведены результаты комплексного исследования кинетических эффектов в эвтектических композиции InSb-MnSb, InSb-FeSb, GaSb-FeGa и GaSb-CoGa в широком интервале температур при различных взаимных направлениях тока, теплового потока, магнитного поля и включений металлической фазы. Установлены характерные особенности электронных и фононных процессов, роль включений в рассеянии носителей заряда и фонона и влиянии их на проводимость электрического тока и тепла
Держатели документа:
|
7.
| Хлупин С.И.
Микродозиметрическое описание энерговыделения в субмикронных областях кремния, облучаемых тяжелыми ионами
Аккерман А.Ф. - Алма-Ата. - 1990. - 14 с.: ил. -(Препринт; ИФВЭ 90-09). - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 150 экз.
ГРНТИ: 47.09.29
УДК: 621.315.592:539.16(04)
Предметные рубрики: Полупроводники
Перевод заглавия: Submicron Si regions irradiated by heavy ions: microdosimetric description
Аннотация: Проведено моделирование методом Монте-Карло переноса в кремниевой мишени быстрых тяжелых ионов и инициализированных ими вторичных электронов. В результате моделирования построены функции распределения энерговыделения одиночного иона в субмикронных объемах мишени.Предложены эмпирические формулы для расчета спектров энерговыделения одиночного иона в субмикронных объемах кремния, основанные на функции логнормального распределения.
Держатели документа:
|
8.
| Левашов Е.А.
Ультразвуковая интенсификация СВС-высокотемпературных сверхпроводников: обработка реагентов в системе Y O - Baa O -Cu: Препринт
Боровинская И.П., Мержанов А.Г. - Черноголовка. - 1991. - 21 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - Тираж 50 экз.
ГРНТИ: 47.09.39
УДК: 621.315.5-973.002(04)
Предметные рубрики: Сверхпроводники
Перевод заглавия: Ultrasonic intensification of self-propagating high-temperature synthesis of HTSC: reagents processing in the Y203-Ba02-Cu system
Аннотация: Синтез сверхпроводящей оксидной керамики
Держатели документа:
|
9.
| Яковлев В.П.
Synthesis of high-temperature superconductors
Mishin G.I., Andrianov V.I. - St.Petersburg. - 1992. - 37 p. -(Препринт; 1593). - На англ.яз. - Российская Федерация. - Тираж 150 экз.
ГРНТИ: 47.09.39
УДК: 621.315.5-973.002(04)
Предметные рубрики: Сверхпроводники --Производство
Перевод заглавия: Synthesis of high-temperature superconductors
Аннотация: Представлен обзор достижений в области синтеза высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Анализ полученных результатов позволил уточнить несколько известных формул для приближенного расчета основных параметров ВТСП - критических значений температуры фазового перехода, магнитного поля, плотности тока и других. Рассчитаны предлагаемые величины основных параметров для семи различных ВТСП, с температурами фазового перехода от 200 до 1188 К и представлены полуэмпирические формулы для оценки этих параметров. Даны рекомендации по синтезу и оптимизации ВТСП
Держатели документа:
|
10.
| Соболев Н.А.
Neutron transmutation doping of silicon by magnesium
Shek E.I., Shabalin E.P. - St.Petersburg. - 1993. - 9 p. -(Препринт; 1606). - На англ.яз. - Российская Федерация. - Тираж 120 экз.
ГРНТИ: 47.09.29
УДК: 621.315.592.002:669(04)
Предметные рубрики: Кремний --Легирование
Перевод заглавия: Neutron transmutation doping of silicon by magnesium
Аннотация: Показано, что облучение кремния быстрыми нейтронами и последующий отжиг приводят к его легированию за счет образования центров, связанных с магнием. Рассчитаны скорости образования примесей в результате реакций трансмутации при облучении монокристаллического кремния на реакторе быстрых нейтронов ИБР-30
Держатели документа:
|
|
|
|
|
Главная страница
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Описание базы данных